国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于半导体触点的最佳材料堆叠”的专利，公开号CN121014279A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本公开的方法使得能够形成高导电性触点，所述高导电性触点促进提高器件速度和降低半导体器件的操作电压，所述半导体器件诸如但不限于半导体上金属（MOS）晶体管和类似物。在一个实施方式中，所述方法通过形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）接触结构或非化学计量层接触结构来创建可用于N型或P型MOS器件的最佳触点。需注意的是，N型或P型触点需要不同的功函数金属来实现低肖特基势垒高度（SBH）。

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